Samsung первой выпустила чипы DDR3-памяти плотностью 4 Гбит
[
]
15.02.2009, 02:43
Samsung
Electronics объявила о том, что ею сделан значительный прорыв в
повышении плотности памяти. Используя 50-нм техпроцесс, инженеры
компании сумели достичь самой высокой плотности хранения данных — чипы
новой DDR3-памяти имеют плотность 4 Гбит.
Память Samsung 4Gb
DDR3 будет применяться, например, для создания 16-ГБ модулей памяти
RDIMM, используемой в серверах, а также для сборки 8-ГБ модулей
небуферизированной памяти DIMM, которую можно использовать в рабочих
станциях и пользовательских ПК.
Технология упаковки чипов
позволяет создавать и более ёмкие модули — вплоть до 32 ГБ. 4-Гбит
память Samsung работает при напряжении питания 1,35 В, что ещё ниже,
чем у типичной памяти этого типа (1,5 В). По сравнению с 2-Гбит
памятью, готовые модули на новых чипах потребляют на 40% меньше
энергии. Пропускная способность составляет 1,6 Гбит/с.
Память с
такой плотностью и малым потреблением энергии будет широко востребована
в серверах. Это позволит сократить стоимость датацентров и стоимость их
обслуживания, и повысить их общую эффективность работы.
